晶振分類
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- 壓控溫補(bǔ)晶振
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常見問題
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- 產(chǎn)品型號：25037117
- 頻率：40.000MHZ
- 尺寸：8.0*4.5*1.4mm
- 產(chǎn)品介紹：貼片陶瓷晶振最適合用于車載電子領(lǐng)域的小型表面貼片陶瓷晶體諧振器.也可對應(yīng)有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分簡稱為時(shí)鐘晶體振蕩器,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件...
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KDS晶振代理商,CX40000EE1O無源晶振,DSX840GA晶振
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KDS晶振代理商,CX40000EE1O無源晶振,DSX840GA晶振,8045陶瓷振蕩子40.000M陶瓷晶振,二腳SMD陶瓷面貼片晶振,表面陶瓷封裝,其實(shí)是屬于壓電石英晶振,是高可靠的環(huán)保性能,嚴(yán)格的頻率分選,編帶盤裝,可應(yīng)用于高速自動貼片機(jī)焊接,產(chǎn)品本身設(shè)計(jì)合理,成本和性能良好,無源晶振產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于平板電腦,MP5,數(shù)碼相機(jī),USB接口最佳選擇,包含RoHS指令豁免的密封玻璃中的鉛.
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| 規(guī)格 | DSX630G,DSX840GA | ||||
| 頻率范圍 | 8~10Mhz | 10~12Mhz | 12~50Mhz | 50~80Mhz | |
| 負(fù)載電容 | Series, 8pF, 10pF, 12pF | Series | |||
| 激勵(lì)功率 | 10μW（300μW Max.） | 10μW（500μW Max.） | |||
| 頻率公差 | ±30×10-6, ±50×10-6,±100×10-6（at25℃） | ||||
| 串聯(lián)電阻 | 100Ω max | 80Ω max | 50Ω max | 70Ω max | |
| 頻率溫度特性 | ±30×10-6/-10~+60℃（Ref. to 25℃） | ||||
| ±50×10-6,/-20~+70℃（Ref. to 25℃） | |||||
| ±100×10-6,/-30~+85℃（Ref. to 25℃） | |||||
| 保存溫度范圍 | -40~+85℃ | ||||
| 封裝 | 1000pcs./reel （Φ180:DSX630G, Φ2500:840GA） | ||||
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境保護(hù)方針.jpg)
日本株式會社,天津KDS作為一個(gè)最重要的環(huán)境保護(hù)活動的管理政策,通過與環(huán)境的和諧企業(yè)活動,KDS集團(tuán)將有助于創(chuàng)造社會發(fā)展得以持續(xù).晶振應(yīng)用產(chǎn)品的開發(fā),在該地區(qū)的所有的陶瓷振蕩子生產(chǎn)業(yè)務(wù),KDS集團(tuán),將促進(jìn)對全球環(huán)保事業(yè)的承諾.1,努力減少有害物質(zhì)的妥善管理,為客戶提供環(huán)保產(chǎn)品. 2,對于預(yù)防環(huán)境污染和資源的有效利用,我們將妥善處置廢物排放量,再利用和回收工作. 3,防止全球變暖,我們將努力減少二氧化碳排放量和節(jié)約能源活動. 
Daishiku靈活地應(yīng)對不斷變化的社會需求,進(jìn)口晶振以市場為導(dǎo)向的方法的核心.我們的專家人員積極參與開發(fā)新產(chǎn)品,滿足市場的需求,根據(jù)他們的深刻洞察消費(fèi)者的需求.我們正在開發(fā)的產(chǎn)品與《紐約時(shí)報(bào)》及時(shí),從較小的移動終端到下一代智能電網(wǎng)所代表的工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施.我們將繼續(xù)致力于從事研究和開發(fā)高質(zhì)量的石英裝置.KDS晶振代理商,CX40000EE1O無源晶振,DSX840GA晶振.
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8045陶瓷振蕩子40.000M陶瓷晶振,產(chǎn)品的可靠性可以通俗的理解為：產(chǎn)品生產(chǎn)完成后,不會因常規(guī)的搬運(yùn),儲存而使其性能受影響,不會因客戶的焊接,清洗和封裝等各種使用條件而影響性能.產(chǎn)品的可靠性可以通過各種可靠性試驗(yàn)來衡量,目前常見的可靠性試驗(yàn)有：高溫儲存試驗(yàn) 125℃±10℃；1000H±24H,溫度循環(huán)試驗(yàn) T1 = -55℃±10℃ T2= 125℃±10℃；循環(huán)次數(shù)10次.（溫度轉(zhuǎn)換約30分鐘）,溫度沖擊試驗(yàn) T1 = -55℃±10℃ T2= 125℃±10℃；循環(huán)次數(shù)10次.（溫度轉(zhuǎn)換時(shí)間5秒）,恒溫恒濕試驗(yàn) TC 85±10℃ H 85% ；1000H±24H.
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